半导体装置以及半导体装置的制造方法
公开
摘要
本发明提供包含能够组装后进行微调且制造简单的高耐压的熔丝元件的半导体装置以及半导体装置的制造方法。所述半导体装置包含：形成于半导体基板的第一极性的第一阱；在第一阱内隔开预先确定的间隔形成的第二极性的源极区域以及漏极区域；包围源极区域以及漏极区域形成的第一极性的杂质区域；在源极区域和漏极区域之间的所述半导体基板上形成的第一栅极氧化膜；在第一栅极氧化膜上形成的第二栅极氧化膜；在第二栅极氧化膜上形成的栅极电极；以及在第一栅极氧化膜的下部形成的第一极性的杂质层。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置以及半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334903A
申请号 ：
CN202111092895.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-09-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
森彻
申请人 ：
拉碧斯半导体株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县横滨市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
闫小龙
优先权 ：
CN202111092895.2
主分类号 ：
H01L23/525
IPC分类号 ：
H01L23/525 H01L29/78 H01L21/768 H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/525
具有可适用互连装置的
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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