一种叠片式引线框架的防溢料结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种叠片式引线框架的防溢料结构，涉及半导体生产技术领域，包括：上框架；下框架；固定槽；第一台阶；第二台阶；浇料口。本实用新型通过设置第一台阶、第二台阶，从而避免溢料的现象，通过浇料将上框架放置在下框架的上表面，此时通过定位孔使得上框架与下框架定位对接，同时固定卡块在上框架的推动下，卡入至固定槽的内部，同时第二台阶、第一台阶通过校准孔定位，然后通过浇料口向上框架、下框架之间进料浇料，此时通过上框架、下框架之间的空隙使得料液对多个浇料槽快速浇料，便于增加从上框架、第一台阶之间溢出的料液的流长，从而实现料液在溢出之前就固化在上框架、第一台阶的内部，有效避免料液的溢出。
基本信息
专利标题 ：
一种叠片式引线框架的防溢料结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220187741.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-01-24
授权号 ：
CN216671625U
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
刘东林郜铭杨宇姚亮徐海霞曹杰余琼慧倪玮奇苏瑾
申请人 ：
铜陵三佳山田科技股份有限公司
申请人地址 ：
安徽省铜陵市经济技术开发区黄山大道西侧
代理机构 ：
铜陵市天成专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
范智强
优先权 ：
CN202220187741.5
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2022-06-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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