在局部提供沉陷氧化层的硅半导体器件制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
在局部提供凹陷氧化层的硅半导体器件制造方法。这种方法是：在硅片表面，提供第一次氧化掩蔽后，在硅中形成凹陷区，它的两个侧面延伸在第一次氧化掩蔽的下面。用第二次氧化掩蔽提供侧面后，进行氧化处理。按照本发明，提供的凹陷区，它的侧面是平的，而且和原始表面成25°到45°角，而由5到50毫微米厚的氮化硅或含氧氮化硅形成的第二次氧化掩蔽，把它直接应用到两个侧面，或在这里，用小于5毫微米厚度的氧化硅进行隔离。用这个方法，导致很平的结构。
基本信息
专利标题 ：
在局部提供沉陷氧化层的硅半导体器件制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85101827A
申请号 ：
CN85101827.0
公开（公告）日 ：
1987-01-10
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN1003266B
授权日 ：
1989-02-08
发明人 ：
德尔巴特森
申请人 ：
菲利浦光灯制造公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖春京
优先权 ：
CN85101827.0
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/94 H01L21/76
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
1993-08-04 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1989-10-25 ：
授权
1989-02-08 ：
审定
1987-01-10 ：
公开
1986-12-24 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
