一种用ＣＶＤ法涂覆大致半球深拱基体内表面的方法和装置。将含成层物分子的反应气体通过至少一个与半球顶点相对并距待涂覆面一定距离的进气孔送入装有基体的反应室中，随后在该基体内表面产生反应区以在其上沉积成层材料。为制出均匀涂层，反应气体以高速送入使进气孔内或其紧邻的气体射流的雷诺数Ｒ与在进气孔与半球顶点间的距离ｈ的乘积符合４００〈Ｒ×ｈ〈４０００。优点是省去一些常规必要措施并可用简单喷嘴通用于不同形状基体。