用于半导体器件可靠性相似度的方法与系统

专利权的终止

摘要

一种用于半导体器件的可靠性相似度的方法与系统。该方法包括提供第一多个半导体器件，提供第二多个半导体器件，以及确定与第一多个半导体器件有关的第一可靠性。第一可靠性由至少第一概率密度函数来表示。此外，该方法包括确定与第二多个半导体器件有关的第二可靠性。第二可靠性由至少第二概率密度函数来表示。此外，该方法包括处理与第一概率密度函数和第二概率密度函数有关的信息，以及至少基于与第一概率密度函数和第二概率密度函数有关的信息来确定数值。所述数值指示第一可靠性和第二可靠性之间的相似度。

基本信息

专利标题：

用于半导体器件可靠性相似度的方法与系统

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1941311A

申请号：

CN200510030310.9

公开（公告）日：

2007-04-04

申请日：

2005-09-29

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

王邕保

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人：

王怡

优先权：

CN200510030310.9

主分类号：

H01L21/66

IPC分类号：

H01L21/66

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/66

在制造或处理过程中的测试或测量

法律状态

2019-09-17 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20050929
授权公告日 : 20080618
终止日期 : 20180929

2012-01-04 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101259320046
IPC(主分类) : H01L 21/66
专利号 : ZL2005100303109
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111129

2008-06-18 ：

授权

2007-05-30 ：

实质审查的生效

2007-04-04 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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