半导体装置的制造方法
专利权的终止
摘要
一种半导体装置的制造方法，在芯片尺寸封装型半导体装置的制造方法中，提高其可靠性。在半导体衬底(10)的表面介由第一绝缘膜(11)形成支承体(14)。然后，将半导体衬底(10)的一部分从该背面选择性地进行蚀刻而形成开口部(10w)后，在该背面形成第二绝缘膜(17)。然后，选择性地蚀刻开口部(10w)的底部的第一绝缘膜(11)及第二绝缘膜(16)，露出该开口部(10w)的底部的焊盘电极(12)。然后，在从半导体衬底(10)的背面到位于开口部(10w)的侧壁和底部的边界的第二绝缘膜上，选择性地形成有第三抗蚀层(18)。之后，按照规定的图案，选择性地形成与开口部(10w)的底部的焊盘电极(12)电连接，并在半导体衬底(10)的背面上延伸的配线层(19)。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1753153A
申请号 ：
CN200510106862.3
公开（公告）日 ：
2006-03-29
申请日 ：
2005-09-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
野间崇冈田和央山田紘士饭田正则
申请人 ：
三洋电机株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李贵亮
优先权 ：
CN200510106862.3
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2021-09-03 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/28
申请日 : 20050926
授权公告日 : 20090128
终止日期 : 20200926
申请日 : 20050926
授权公告日 : 20090128
终止日期 : 20200926
2009-01-28 ：
授权
2007-10-10 ：
实质审查的生效
2006-03-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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