半导体装置及半导体装置的制造方法
授权
摘要
本发明提供一种反向阻断半导体装置及其制造方法，能够通过简单的结构使制造工序的生产率提高，并通过肖特基结确保反向耐压。提供一种半导体装置，其包含：具有表面及所述表面的相反侧的背面、以及端面的第一导电型的半导体层；在所述半导体层的表面部形成的MIS晶体管构造；在所述半导体层的所述背面与所述半导体层的一部分形成肖特基结的第一电极；以及在形成有所述MIS晶体管构造的有源区域的周围区域以沿所述半导体层从所述表面到达所述背面的方式形成，并由具有比所述半导体层高的电阻的高电阻区域或第二导电型的杂质区域构成的电场缓和区域。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109643733A
申请号 ：
CN201780050362.3
公开（公告）日 ：
2019-04-16
申请日 ：
2017-08-10
授权号 ：
CN109643733B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
森诚悟明田正俊
申请人 ：
罗姆股份有限公司
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
曾贤伟
优先权 ：
CN201780050362.3
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/28 H01L21/322 H01L21/336 H01L21/76 H01L29/06 H01L29/12
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2019-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20170810
申请日 : 20170810
2019-04-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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