半导体装置的制造方法
专利权的终止
摘要
本发明涉提供一种半导体装置的制造方法，由积层体制造所述半导体装置，所述层积体具有：半导体衬底；高电介质膜，在所述半导体衬底上形成；以及SiC系膜，在所述高电介质膜的上层形成，具有防反射功能和硬掩膜功能。本发明的半导体装置的制造方法包括：等离子体处理工序，使等离子体作用于所述SiC系膜和所述高电介质膜而进行改质；以及清洗处理工序，通过湿式清洗一次性地除去在所述等离子体处理工序中被改质的所述SiC系膜和所述高电介质膜。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101107698A
申请号 ：
CN200580045165.X
公开（公告）日 ：
2008-01-16
申请日 ：
2005-11-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
盖尔·格伦广田良浩村木雄介中村源志栉引理人新藤尚树清水昭贵芦垣繁雄加藤良裕
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王怡
优先权 ：
CN200580045165.X
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L21/3065 H01L21/28 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2016-01-20 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101643312237
IPC(主分类) : H01L 21/306
专利号 : ZL200580045165X
申请日 : 20051129
授权公告日 : 20090325
终止日期 : 20141129
号牌文件序号 : 101643312237
IPC(主分类) : H01L 21/306
专利号 : ZL200580045165X
申请日 : 20051129
授权公告日 : 20090325
终止日期 : 20141129
2009-03-25 ：
授权
2008-03-05 ：
实质审查的生效
2008-01-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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