用于薄膜形成的分子供应源
专利权的终止
摘要
本发明提供一种用于薄膜形成的分子供应源,利用从单个蒸发源排出的分子、即使在相对宽的膜形成表面(9)上也能够形成具有高均匀性的薄膜,其具有设置成多个的导向通路(4a)、(4b)和(4c),其中通过那些导向通路(4a)、(4b)和(4c)来控制蒸气分子的流速和定向特性;由此改善在衬底(8)的膜形成表面(9)上所形成的膜厚度的分布。利用这,膜形成材料的必要量能达到衬底(8)的膜形成表面(9)上的必要位置,因此在不用旋转和/或移动膜形成表面(9)的情况下,能够减少形成在膜形成表面(9)上的薄膜的膜厚度上的离差,并由此能够形成具有均匀厚度的薄膜。此外,还能够随意但到一定程度控制在膜形成表面(9)上的任意位置处的膜厚度。
基本信息
专利标题 :
用于薄膜形成的分子供应源
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1789479A
申请号 :
CN200510107634.8
公开(公告)日 :
2006-06-21
申请日 :
2005-09-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
斋藤建勇小林理
申请人 :
株式会社日本微拓科技
申请人地址 :
日本茨城县
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
李晓舒
优先权 :
CN200510107634.8
主分类号 :
C23C14/24
IPC分类号 :
C23C14/24
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
法律状态
2021-09-14 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C23C 14/24
申请日 : 20050929
授权公告日 : 20101208
终止日期 : 20200929
申请日 : 20050929
授权公告日 : 20101208
终止日期 : 20200929
2010-12-08 :
授权
2007-12-12 :
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 株式会社日本微拓科技
变更后权利人 : 长州产业株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本茨城县
变更后权利人 : 日本山口县
登记生效日 : 20071109
变更前权利人 : 株式会社日本微拓科技
变更后权利人 : 长州产业株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本茨城县
变更后权利人 : 日本山口县
登记生效日 : 20071109
2007-08-29 :
实质审查的生效
2006-06-21 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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