一种在集成电路中使用α多晶硅的方法

专利申请权、专利权的转移

PDF下载

摘要

本发明公开了一种在集成电路中使用α多晶硅的方法，本发明一种在集成电路中使用α多晶硅的方法，将其很好地应用到高电阻多晶硅工程，有效的降低高阻值差异波动从而提高工程能力。本发明适用于集成电路制造技术。

基本信息

专利标题：

一种在集成电路中使用α多晶硅的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1979775A

申请号：

CN200510111175.0

公开（公告）日：

2007-06-13

申请日：

2005-12-06

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

周忠山

申请人：

上海华虹NEC电子有限公司

申请人地址：

201206上海市浦东新区川桥路1188号

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

丁纪铁

优先权：

CN200510111175.0

主分类号：

H01L21/3205

IPC分类号：

H01L21/3205 H01L21/205 H01L27/02 C23C16/00 C30B25/00

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/31

在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择

H01L21/3205

非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理

法律状态

2014-01-15 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101685696975
IPC(主分类) : H01L 21/3205
专利号 : ZL2005101111750
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20131219

2008-08-06 ：

授权

2007-08-08 ：

实质审查的生效

2007-06-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载