用于半导体晶片清洗的缓蚀剂体系
授权
摘要
本发明公开了一种半导体晶片清洗的缓蚀剂体系，其中，该缓蚀剂体系包括水和/或溶剂，其特征在于还包括一种含羧基的聚合物，其中，合成该聚合物的至少一种单体含有羧基。本发明的用于半导体晶片清洗的缓蚀剂体系具有对环境友善、安全无毒、有利于健康的特点，可在室温至85℃之间使用，而且在含氟和不含氟的体系中对金属或非金属腐蚀均有很好的抑制效果。
基本信息
专利标题 ：
用于半导体晶片清洗的缓蚀剂体系
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1982426A
申请号 ：
CN200510111602.5
公开（公告）日 ：
2007-06-20
申请日 ：
2005-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘兵彭洪修王淑敏
申请人 ：
安集微电子（上海）有限公司
申请人地址 ：
201203上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5楼613－618
代理机构 ：
上海虹桥正瀚律师事务所
代理人 ：
李佳铭
优先权 ：
CN200510111602.5
主分类号 ：
C11D3/37
IPC分类号 ：
C11D3/37 C23G1/06 H01L21/306
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C11
动物或植物油、脂、脂肪物质或蜡；由此制取的脂肪酸；洗涤剂；蜡烛
C11D
洗涤剂组合物；用单一物质作为洗涤剂；皂或制皂；树脂皂；甘油的回收
C11D3/00
包括在C11D1/00组内之洗涤组合物的其他配料成分
C11D3/16
有机化合物
C11D3/37
聚合物
法律状态
2011-08-03 ：
授权
2009-02-04 ：
实质审查的生效
2007-06-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1982426B.PDF
PDF下载
2、
CN1982426A.PDF
PDF下载
