半导体封装的金属球重工方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明半导体封装的金属球重工方法，其包括下列步骤：提供一半导体封装组件，其上设有多数个金属球，其中至少一个金属球具有不同的球径；提供一治具，其上相对于该半导体封装组件的金属球位置形成有镂空孔；将该治具盖设于该半导体封装组件上，使每一金属球位于镂空孔内，球径较大的金属球则露出治具表面；朝着治具表面研磨露出的金属球至正确的大小；及将研磨后的半导体封装组件再涂布助焊剂放入回焊炉，使金属球熔融，冷却后即完成金属球的重工。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装的金属球重工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1959936A
申请号 ：
CN200510118604.7
公开（公告）日 ：
2007-05-09
申请日 ：
2005-10-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林仕祥白忠巧龙港文张鸿租龙昌宏
申请人 ：
胜开科技股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹县
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汤保平
优先权 ：
CN200510118604.7
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2008-12-24 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-07-04 ：
实质审查的生效
2007-05-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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