半导体封装方法
公开
摘要
本申请提供一种半导体封装方法。半导体封装方法包括：形成包封结构，包封结构包括包封层及芯片，包封层上设有腔体，芯片位于腔体内，芯片具有正面，芯片的正面设有焊垫；在芯片的正面形成与焊垫电连接的再布线结构；在包封结构靠近芯片正面的一侧设置第一介电层及第一辅助结构；第一介电层覆盖第一再布线层，再布线结构背离包封结构的表面露出第一介电层；辅助结构设置在第一介电层外围且与第一介电层的外侧壁贴合；在芯片的正面形成覆盖第一介电层的第一种子层；基于第一种子层形成第一再布线层。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613684A
申请号 ：
CN202011435797.X
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
兰月
申请人 ：
矽磐微电子（重庆）有限公司
申请人地址 ：
重庆市沙坪坝区西永大道25号C栋
代理机构 ：
北京博思佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
张玲玲
优先权 ：
CN202011435797.X
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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