半导体封装方法
公开
摘要
本申请提供一种半导体封装方法。所述半导体封装方法包括：形成包封结构，所述包封结构包括包封层及至少一个芯片，所述包封层上设置有至少一个内凹的腔体，所述至少一个芯片设置在所述至少一个内凹的腔体内，所述芯片的正面露出所述包封层，所述芯片的正面设有多个焊垫；在所述包封结构上形成再布线结构，所述再布线结构将所述芯片的焊垫引出；将设置有镂空部的绝缘膜层套在所述再布线结构上，所述再布线结构背离所述芯片的表面通过所述镂空部露出所述绝缘膜层。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582736A
申请号 ：
CN202011378925.1
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
涂旭峰霍炎
申请人 ：
矽磐微电子（重庆）有限公司
申请人地址 ：
重庆市沙坪坝区西永大道25号C栋
代理机构 ：
北京博思佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
张玲玲
优先权 ：
CN202011378925.1
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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