半导体封装及制作半导体封装的方法
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摘要

一种半导体封装具有至少一个管芯、第一重布线层及第二重布线层。所述第一重布线层包括具有第一通孔部分及第一布线部分的第一双镶嵌重布线图案。所述第二重布线层设置在所述第一重布线层上及所述第一管芯的上方且与所述第一重布线层及所述第一管芯电连接。所述第二重布线层包括具有第二通孔部分及第二布线部分的第二双镶嵌重布线图案。所述第二通孔部分的位置与第一通孔部分的位置对齐。

基本信息
专利标题 :
半导体封装及制作半导体封装的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN109309075A
申请号 :
CN201810845378.X
公开(公告)日 :
2019-02-05
申请日 :
2018-07-27
授权号 :
CN109309075B
授权日 :
2022-05-10
发明人 :
余振华余俊辉余国宠
申请人 :
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 :
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 :
顾伯兴
优先权 :
CN201810845378.X
主分类号 :
H01L23/522
IPC分类号 :
H01L23/522  H01L23/528  H01L21/768  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-05-10 :
授权
2019-03-05 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/522
申请日 : 20180727
2019-02-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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