蚀刻溶液和除去低－K电介质层的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开一种用于蚀刻基底上的低－k电介质层的蚀刻溶液，该溶液包含有效比例的用于氧化低－k电介质层的氧化剂及有效比例的用于除去氧化物的氧化物蚀刻剂。利用该蚀刻溶液，通过单步骤处理工艺，可容易地除去低－k电介质层。
基本信息
专利标题 ：
蚀刻溶液和除去低－K电介质层的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1772842A
申请号 ：
CN200510120297.6
公开（公告）日 ：
2006-05-17
申请日 ：
2005-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金美英李晓山洪郁善吴晙焕李相旻
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
张平元
优先权 ：
CN200510120297.6
主分类号 ：
C09K13/00
IPC分类号 ：
C09K13/00 H01L21/311
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C09
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09K
不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用
C09K13/00
蚀刻，表面光亮或浸蚀组合物
法律状态
2010-01-27 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-11-07 ：
实质审查的生效
2006-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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