用于电磁辐射的掩模及其制造方法

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

用于光刻的掩模及其制造方法。掩模包括衬底，由能反射电磁辐射的材料在衬底上形成的反射层，和以希望的图案形成的吸收图案以使得形成对于电磁辐射的吸收区和电磁射线通过的窗口区，其中吸收图案包括至少一个邻近窗口并且相对于反射层倾斜的侧面。该方法可以包括在衬底上形成由能够反射电磁射线的材料形成的反射层，在反射层上形成由能够吸收电磁射线的材料形成的吸收层，和图案化吸收层以形成具有至少一个邻近窗口的侧面并且具有相对于反射层倾斜的侧面的吸收图案。

基本信息

专利标题：

用于电磁辐射的掩模及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1811593A

申请号：

CN200510121654.0

公开（公告）日：

2006-08-02

申请日：

2005-11-16

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

宋利宪柳元壹金锡必金勋张丞爀金元柱朴永洙

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200510121654.0

主分类号：

G03F1/14

IPC分类号：

G03F1/14 G03F1/00 G03F7/20