半导体装置及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种高耐压的晶体管以窄宽度排列的半导体装置及其制造方法。半导体装置，包括：第二导电型的第一晶体管，形成在包含第一导电型的杂质的衬底(6)上；第二导电型的第二晶体管，形成在衬底(6)上，第二晶体管的源极区域与第一晶体管的源极区域(Sc)共用。其中，在第一和第二晶体管的栅极绝缘膜(70a、70b)的下层，与各个晶体管的沟道区域邻接而形成第二导电型的第一和第二偏移层(50a、50b)。在源极区域(Sc)，形成第一导电型的第一和第二扩散层(54、52)。第二扩散层(52)，通过第一扩散层(54)与第一偏移层和第二偏移层(50a、50b)接触。第一扩散层(54)的杂质浓度比衬底(6)的杂质浓度高。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1783497A
申请号 ：
CN200510124391.9
公开（公告）日 ：
2006-06-07
申请日 ：
2005-11-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
石川淳
申请人 ：
精工爱普生株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
余刚
优先权 ：
CN200510124391.9
主分类号 ：
H01L27/092
IPC分类号 ：
H01L27/092 H01L21/8238
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092
互补MIS场效应晶体管
法律状态
2016-01-20 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101643313308
IPC(主分类) : H01L 27/092
专利号 : ZL2005101243919
申请日 : 20051129
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20141129
号牌文件序号 : 101643313308
IPC(主分类) : H01L 27/092
专利号 : ZL2005101243919
申请日 : 20051129
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20141129
2009-03-11 ：
授权
2006-08-02 ：
实质审查的生效
2006-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
