半导体装置及其制造方法
授权
摘要
本公开涉及一种半导体装置及其制造方法，该制造方法包含：提供一结构，具有在基底上方的两个鳍片，鳍片的下部由隔离结构隔开，在鳍片上方的虚设栅极结构，以及位于虚设栅极结构两侧上的鳍片上方的源极/漏极部件；在两个鳍片之间的虚设栅极结构中形成沟槽，其中沟槽的形成移除隔离结构的一部分；在沟槽中形成介电层，其中介电层的底表面在隔离结构的顶表面下方延伸；以及以形成于一鳍片上的一高介电常数金属栅极结构和形成于另一鳍片上的另一高介电常数金属栅极结构取代虚设栅极结构。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110943044A
申请号 ：
CN201910892241.4
公开（公告）日 ：
2020-03-31
申请日 ：
2019-09-20
授权号 ：
CN110943044B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
陈建颖张哲诚林志翰
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN201910892241.4
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L27/092
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2020-04-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8238
申请日 : 20190920
申请日 : 20190920
2020-03-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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