改进的侧向外延法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明揭示改进的ELO方法，克服ELO方法的缺点。改进的ELO方法的一个具体实施实例的主要工艺步骤如下：在生长衬底上，生长第一氮化镓外延层。在第一氮化镓外延层上层叠掩膜层，蚀刻第一掩膜层形成第一氮化镓窗口和第一掩膜层条。生长第二氮化镓外延层，覆盖第一掩膜层条，在第二氮化镓外延层上层叠反射/欧姆/应力缓冲层或导电反射/欧姆/应力缓冲层，键合绝缘或导电支持衬底(导电支持衬底的暴露的一面上层叠电极)，剥离上述生长衬底、第一氮化镓外延层、第一掩膜层条、和第二氮化镓外延层中带有空洞的部分，没有空洞的第二氮化镓外延层暴露，进行热处理。生长氮化镓外延层并在其上层叠掩膜层和蚀刻掩膜层的工艺步骤可以重复多次。
基本信息
专利标题 ：
改进的侧向外延法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1794425A
申请号 ：
CN200510125516.X
公开（公告）日 ：
2006-06-28
申请日 ：
2005-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
彭晖
申请人 ：
金芃;彭晖
申请人地址 ：
100871北京市海淀区北京大学燕东园33楼112号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200510125516.X
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20 H01L33/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2008-04-30 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-08-23 ：
实质审查的生效
2006-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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