用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及分子束外延磷裂解炉技术领域,特别是一种用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法。方法包括:步骤1:在分子束外延系统中,将衬底加热器旋转至测束流位置并将裂解区升温;步骤2:裂解区降温并将红磷区升温;步骤3:关闭裂解阀阀门进行转化后对红磷区降温;步骤4:将磷源炉裂解区温度设定在生长材料时所使用的温度值;步骤5:按转化时间与转化而成的白磷量经验公式,计算磷源的耗尽时间。本发明的独特之处在于可以准确控制白磷转化量和耗尽时间,外延出高性能磷化铟材料。
基本信息
专利标题 :
用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1978714A
申请号 :
CN200510126237.5
公开(公告)日 :
2007-06-13
申请日 :
2005-11-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李路刘峰奇周华兵梁凌燕吕小晶
申请人 :
中国科学院半导体研究所
申请人地址 :
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 :
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 :
段成云
优先权 :
CN200510126237.5
主分类号 :
C30B25/02
IPC分类号 :
C30B25/02 C30B29/40
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
法律状态
2013-01-23 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101385917743
IPC(主分类) : C30B 25/02
专利号 : ZL2005101262375
申请日 : 20051130
授权公告日 : 20080924
终止日期 : 20111130
号牌文件序号 : 101385917743
IPC(主分类) : C30B 25/02
专利号 : ZL2005101262375
申请日 : 20051130
授权公告日 : 20080924
终止日期 : 20111130
2008-09-24 :
授权
2007-08-08 :
实质审查的生效
2007-06-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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