垂直CMOS图像传感器的制造方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明公开了一种垂直CMOS图像传感器的制造方法，以通过最小化径向扩散来减小像素尺寸以提高集成度，其中，在控制剂量和能量时，注入磷离子和砷离子，该方法包括：在半导体衬底中形成第一光电二极管；在半导体衬底上形成第一外延层；通过将第一和第二离子顺序地注入第一外延层，形成第一插头；在第一外延层中形成第二光电二极管；在第一外延层中形成第二外延层；在第二外延层中形成隔离区；以及在第二外延层中形成第三光电二极管和第二插头。
基本信息
专利标题 ：
垂直CMOS图像传感器的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819236A
申请号 ：
CN200510135150.4
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2005-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李相基
申请人 ：
东部亚南半导体株式会社
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
余刚
优先权 ：
CN200510135150.4
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L23/52 H01L21/822 H01L21/768 H01L21/265
法律状态
2018-01-05 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 27/146
登记生效日 : 20171215
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 东部亚南半导体株式会社
变更后权利人 : DB HiTek株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国首尔
变更后权利人 : 韩国06194首尔市江南区德黑兰路432
登记生效日 : 20171215
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 东部亚南半导体株式会社
变更后权利人 : DB HiTek株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国首尔
变更后权利人 : 韩国06194首尔市江南区德黑兰路432
2009-04-22 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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