沉积阴影掩膜保护的多层阴影掩膜结构及其制造和使用方法
授权
摘要
本发明提供了一种多层阴影掩膜及其使用方法。所述多层阴影掩膜包括与沉积掩膜结合的牺牲掩膜。所述牺牲掩膜对沉积掩膜上蒸发物的累积提供保护以防止沉积掩膜变形。
基本信息
专利标题 ：
沉积阴影掩膜保护的多层阴影掩膜结构及其制造和使用方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101065827A
申请号 ：
CN200580040111.4
公开（公告）日 ：
2007-10-31
申请日 ：
2005-11-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杰弗里·W·康拉德
申请人 ：
阿德文泰克全球有限公司
申请人地址 ：
英属维尔京群岛托托拉岛
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈源
优先权 ：
CN200580040111.4
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/44
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2016-08-31 ：
授权
2008-01-23 ：
实质审查的生效
2007-10-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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