分析光掩模几何图形的系统和方法

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

在生成了模拟几何图形(106)之后，可修正模拟的几何图形(106)用以生成预测的结果几何图形(108)。预测的结果几何图形(108)包括在把修正的几何图形(102)用作为成像光掩模坯的抗蚀剂层用于建立光掩模(52)的输入来处理光掩模(52)的情况下会形成在光掩模(52)的图案层(58)中的几何图形的预测。换言之，预测的结果几何图形(108)包括在对由模拟几何图形(106)所限定的图案层(58)的区域上执行蚀刻工艺的情况下会形成在图案层(58)中的几何图形的预测。

基本信息

专利标题：

分析光掩模几何图形的系统和方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101073084A

申请号：

CN200580041726.9

公开（公告）日：

2007-11-14

申请日：

2005-10-05

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

K·纳卡加瓦P·巴克

申请人：

凸版光掩膜公司

申请人地址：

美国德克萨斯州

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

程天正

优先权：

CN200580041726.9

主分类号：

G06F19/00

IPC分类号：

G06F19/00