覆晶接点的功率组件封装
专利申请权、专利权的转移
摘要
一种功率组件封装(100)包含有一以供直接无凸块依附于功率晶体管(105)的顶面(120)与底面(110)引线架。功率晶体管(105)依附于底面引线架(110)上，如同一具有源极接触点(112)与栅极接触点(114)的覆晶直接无凸块依附于底面引线架(110)上。功率晶体管(105)具有一依附于顶面引线架(120)之底面漏极接触点(106)。顶面引线架(120)更包含有一作为底面漏极电极的延伸部，其是与该底面引线架(110)同侧。
基本信息
专利标题 ：
覆晶接点的功率组件封装
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101080816A
申请号 ：
CN200580043079.5
公开（公告）日 ：
2007-11-28
申请日 ：
2005-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙明
申请人 ：
万国半导体股份有限公司
申请人地址 ：
百慕大哈密尔敦
代理机构 ：
上海新天专利代理有限公司
代理人 ：
张静洁
优先权 ：
CN200580043079.5
主分类号 ：
H01L23/52
IPC分类号 ：
H01L23/52
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
法律状态
2010-05-19 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101001958150
IPC(主分类) : H01L 23/495
专利号 : ZL2005800430795
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 万国半导体股份有限公司
变更后权利人 : 万国半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 百慕大哈密尔敦
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州桑尼维尔墨丘利大道495号
登记生效日 : 20100412
号牌文件序号 : 101001958150
IPC(主分类) : H01L 23/495
专利号 : ZL2005800430795
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 万国半导体股份有限公司
变更后权利人 : 万国半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 百慕大哈密尔敦
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州桑尼维尔墨丘利大道495号
登记生效日 : 20100412
2009-06-10 ：
授权
2008-01-23 ：
实质审查的生效
2007-11-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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