没有内藏大孔隙的Au－Sn合金凸块及其制造方法
授权
摘要
本发明提供没有内藏大孔隙的Au－Sn合金凸块及其制造方法。所述没有内藏大孔隙的Au－Sn合金凸块，其具有含有20.5～23.5质量％Sn、余量由Au和不可避免杂质构成的组成，并且在坯料中具有富Sn初晶相结晶析出0.5～30面积％的组织。
基本信息
专利标题 ：
没有内藏大孔隙的Au－Sn合金凸块及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101313396A
申请号 ：
CN200580052111.6
公开（公告）日 ：
2008-11-26
申请日 ：
2005-11-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
石川雅之小日向正好三岛昭史
申请人 ：
三菱麻铁里亚尔株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
熊玉兰
优先权 ：
CN200580052111.6
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 C22C5/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2010-05-12 ：
授权
2009-01-21 ：
实质审查的生效
2008-11-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN101313396A.PDF
PDF下载
2、
CN101313396B.PDF
PDF下载
