一种薄膜晶体管阵列的制造方法，其包含以下步骤。提供基板，该基板上形成有栅电极层、栅绝缘层与硅层。对该栅电极层、该栅绝缘层与该硅层进行图案化，以定义出栅极区、栅极线与栅极线接线区。形成保护层于整个基板上。对保护层进行图案化，以使在保护层中且位于栅极区的该硅层上形成两个接触窗，并且移除栅极线上部分区域的保护层与栅极线接线区上的保护层。形成离子布植层与金属层于整个该基板上。对离子布植层与金属层进行图案化，以形成源极区、漏极区、数据线、数据线接线区与第二层栅极线接线区。形成像素电极于保护层上并且与漏极区电连接。通过此方法，只需要四道光刻掩膜便可以制造出薄膜晶体管阵列。