具有多个捕获膜的非易失性存储器件
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种非易失性存储器件，其包括：形成在半导体衬底上的隧道绝缘膜；形成在该隧道绝缘膜上的存储节点；形成在该存储节点上的阻挡绝缘膜；以及形成在该阻挡绝缘膜上的控制栅极电极。该存储节点至少包括具有不同陷阱密度的两层捕获膜，该阻挡绝缘膜具有比硅氧化物膜的介电常数大的介电常数。
基本信息
专利标题 ：
具有多个捕获膜的非易失性存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832201A
申请号 ：
CN200610004393.9
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-02-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金柱亨韩祯希金桢雨闵约赛金汶庆郑渊硕
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李晓舒
优先权 ：
CN200610004393.9
主分类号 ：
H01L29/792
IPC分类号 ：
H01L29/792 H01L27/115
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法律状态
2009-12-30 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-03-19 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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