晶片级封装与制作上盖结构的方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种晶片级封装的方法。所述方法包括在一上盖晶片的表面形成多个凹穴与图案化光致抗蚀剂；蚀刻未被该图案化光致抗蚀剂覆盖的该上盖晶片以形成多个孔。接合具有所述凹穴的表面的该上盖晶片与透明晶片，并切割该凹穴周围的该上盖晶片，以形成多个上盖结构。提供器件晶片，气密接合所述上盖结构与该器件晶片，以在该器件晶片上形成多个气密视窗。
基本信息
专利标题 ：
晶片级封装与制作上盖结构的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101009233A
申请号 ：
CN200610006186.7
公开（公告）日 ：
2007-08-01
申请日 ：
2006-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邵世丰邱铭彦
申请人 ：
探微科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾桃园县
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610006186.7
主分类号 ：
H01L21/52
IPC分类号 ：
H01L21/52 H01L21/48
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/52
半导体在容器中的安装
法律状态
2016-03-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101651536992
IPC(主分类) : H01L 21/52
专利号 : ZL2006100061867
申请日 : 20060125
授权公告日 : 20081224
终止日期 : 20150125
号牌文件序号 : 101651536992
IPC(主分类) : H01L 21/52
专利号 : ZL2006100061867
申请日 : 20060125
授权公告日 : 20081224
终止日期 : 20150125
2014-06-18 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101701792244
IPC(主分类) : H01L 21/52
专利号 : ZL2006100061867
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 探微科技股份有限公司
变更后权利人 : 中国台湾格雷蒙股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾桃园县
变更后权利人 : 中国台湾台北市民权东路三段170号9楼
登记生效日 : 20140520
号牌文件序号 : 101701792244
IPC(主分类) : H01L 21/52
专利号 : ZL2006100061867
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 探微科技股份有限公司
变更后权利人 : 中国台湾格雷蒙股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾桃园县
变更后权利人 : 中国台湾台北市民权东路三段170号9楼
登记生效日 : 20140520
2008-12-24 ：
授权
2007-09-26 ：
实质审查的生效
2007-08-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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