晶片级封装与制作上盖结构的方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种晶片级封装的方法。所述方法包括：提供上盖晶片；在其表面形成图案化薄膜；蚀刻该上盖晶片未被该图案化薄膜覆盖部分形成多个孔。接合具有该图案化薄膜的表面的该上盖晶片与透明晶片。切割该图案化薄膜周围的该上盖晶片，以形成多个上盖结构。提供器件晶片，气密接合所述上盖结构与该器件晶片，以在器件晶片上形成多个气密视窗。
基本信息
专利标题 ：
晶片级封装与制作上盖结构的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101009234A
申请号 ：
CN200610006187.1
公开（公告）日 ：
2007-08-01
申请日 ：
2006-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邵世丰邱铭彦
申请人 ：
探微科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾桃园县
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610006187.1
主分类号 ：
H01L21/52
IPC分类号 ：
H01L21/52 H01L21/48
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/52
半导体在容器中的安装
法律状态
2016-03-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
IPC(主分类) : H01L 21/52
专利号 : ZL2006100061871
申请日 : 20060125
授权公告日 : 20090902
终止日期 : 20150125
号牌文件序号 : 101651537096
IPC(主分类) : H01L 21/52
专利号 : ZL2006100061871
申请日 : 20060125
授权公告日 : 20090902
终止日期 : 20150125
号牌文件序号 : 101651537096
2009-09-02 ：
授权
2007-09-26 ：
实质审查的生效
2007-08-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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