超薄、大尺寸、高硅硅钢片电子束物理气相沉积制备方法
专利权的终止
摘要
超薄、大尺寸、高硅硅钢片电子束物理气相沉积制备方法,本发明涉及一种硅钢片制备方法,它解决了现有的硅钢片不能产业化生产的问题。方法如下:在真空的环境内,利用电子束作为热源,轰击高硅硅钢片的原料,使高硅硅钢片的原料熔化为蒸气状态,然后蒸气状态的高硅硅钢片原料沉积到基板上,得到高硅硅钢片板材,把高硅硅钢片板材从基板上揭下来即可。本发明的方法能通过控制各组成材料蒸发的速度精确控制成品板材的成分和所制备成品板材的厚度,各种材料在蒸气状态下进行原子级混合,因此成分均匀。而且沉积速率高,由于本发明的方法工作效率高,制备过程的工艺参数容易控制,产品的质量容易得到保证,因此极其适合产业化应用。
基本信息
专利标题 :
超薄、大尺寸、高硅硅钢片电子束物理气相沉积制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1804109A
申请号 :
CN200610009613.7
公开(公告)日 :
2006-07-19
申请日 :
2006-01-10
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
赫晓东李垚李晓孙跃
申请人 :
哈尔滨工业大学
申请人地址 :
150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
代理机构 :
哈尔滨市松花江专利商标事务所
代理人 :
牟永林
优先权 :
CN200610009613.7
主分类号 :
C23C14/30
IPC分类号 :
C23C14/30 C23C14/54 C21D1/26 C21D11/00
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/28
波能法或粒子辐射法
C23C14/30
电子轰击法
法律状态
2012-03-21 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101207111394
IPC(主分类) : C23C 14/30
专利号 : ZL2006100096137
申请日 : 20060110
授权公告日 : 20090527
终止日期 : 20110110
号牌文件序号 : 101207111394
IPC(主分类) : C23C 14/30
专利号 : ZL2006100096137
申请日 : 20060110
授权公告日 : 20090527
终止日期 : 20110110
2009-05-27 :
授权
2006-09-13 :
实质审查的生效
2006-07-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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