离子交换工艺中基片表面的保护方法

专利权的终止

摘要

一种离子交换工艺中基片表面的保护方法，该方法的实质是利用一种含有与基片相同的可交换离子且具有抵抗熔盐侵蚀能力的玻璃材料，采用镀膜的方法淀积在基片的表面上，达到在离子交换过程中防止熔盐侵蚀的作用。本发明离子交换工艺中基片表面的保护方法材料成本低廉、工艺简单易行、效果良好。

基本信息

专利标题：

离子交换工艺中基片表面的保护方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1800893A

申请号：

CN200610023418.X

公开（公告）日：

2006-07-12

申请日：

2006-01-18

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

韩秀友方祖捷庞拂飞初凤红蔡海文瞿荣辉

申请人：

中国科学院上海光学精密机械研究所

申请人地址：

201800上海市800－211邮政信箱

代理机构：

上海新天专利代理有限公司

代理人：

张泽纯

优先权：

CN200610023418.X

主分类号：

G02B6/13

IPC分类号：

G02B6/13 G03F7/20

IPC结构图谱

G部——物理

G02

光学

G02B

光学元件、系统或仪器附注

G02B6/00

光导；包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件

G02B6/10

光波导式的

G02B6/12

集成光路类型

G02B6/13

以制作方法为特征的集成光路

法律状态

2014-03-12 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101577931438
IPC(主分类) : G02B 6/13
专利号 : ZL200610023418X
申请日 : 20060118
授权公告日 : 20080102
终止日期 : 20130118

2008-01-02 ：

授权

2006-09-06 ：

实质审查的生效

2006-07-12 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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