覆晶式发光二极管封装结构及其封装方法
专利申请权、专利权的转移
摘要

本发明公开了一种具有高散热效率的覆晶式LED封装结构及其封装方法。本发明的覆晶式发光二极管封装结构,将一LED以覆晶技术配合共晶接合方式封装在一导热基板上,该结构包括:一导热基板,该导热基板表面在一预定区域内形成有一绝缘层,该绝缘层表面形成有一焊垫;以及一LED,该LED以覆晶方式接合在该导热基板上,该LED包括有一第一电极与一第二电极,该第一电极与该导热基板间共晶结合有一共晶层从而电性连接,而该第二电极则与该焊垫电性连接。

基本信息
专利标题 :
覆晶式发光二极管封装结构及其封装方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101030613A
申请号 :
CN200610058395.6
公开(公告)日 :
2007-09-05
申请日 :
2006-03-03
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
董经文
申请人 :
广镓光电股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾台中市
代理机构 :
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 :
许静
优先权 :
CN200610058395.6
主分类号 :
H01L33/00
IPC分类号 :
H01L33/00  H01L23/36  H01L23/488  H01L21/60  
法律状态
2016-12-14 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101743179716
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006100583956
登记生效日 : 20161123
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 广镓光电股份有限公司
变更后权利人 : 晶元光电股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾台中市
变更后权利人 : 中国台湾新竹市
2009-02-11 :
授权
2007-10-31 :
实质审查的生效
2007-09-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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