支持虚拟页存储的非易失性存储器件及其编程方法
授权
摘要
非易失性存储器阵列其中包括第一和第二块三态存储单元。这些第一和第二块被配置来分别作为第一和第二块物理存储单元独立运行，并且整体作为另一块虚拟存储单元运行。可以独立地读取第一和第二块存储单元和另一块虚拟存储单元来提供总共三块读取数据。
基本信息
专利标题 ：
支持虚拟页存储的非易失性存储器件及其编程方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1855304A
申请号 ：
CN200610059513.5
公开（公告）日 ：
2006-11-01
申请日 ：
2006-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄相元
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
郭定辉
优先权 ：
CN200610059513.5
主分类号 ：
G11C11/56
IPC分类号 ：
G11C11/56 G11C16/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/56
使用具有按级表示的两个以上稳态的存储元件的，如：电压、电流、相位、频率的
法律状态
2010-06-16 ：
授权
2006-12-27 ：
实质审查的生效
2006-11-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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