半导体器件生产清洗用阶梯式冲水槽

专利权的终止

摘要

本实用新型涉及一种半导体器件生产清洗用阶梯式冲水槽，具体地说是与腐蚀槽、喷淋式预冲槽配套使用，用于半导体晶圆片生产过程中湿法腐蚀、去胶、清洗等工序的冲水，属于湿法腐蚀工序中的设备。其主要采用高低冲水槽前后阶梯式排列组成一体，在高冲水槽后部连接进水管。低冲水槽底部设置排水孔；高冲水槽上设有流水槽。本实用新型将原水平排列的溢流槽改为前后阶梯式排列，并比预冲槽高出一点，避免了圆片转移过程中酸水对纯水的污染；纯水从高端进入，并从顶部和底部流到低端继续使用，可以节省一半纯水的；不另外用进水管，其水的电阻率能满足初步冲洗要求。

基本信息

专利标题：

半导体器件生产清洗用阶梯式冲水槽

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200620077350.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2006-09-18

授权号：

CN200948456Y

授权日：

2007-09-19

发明人：

朱国伟姚承锡

申请人：

无锡华润华晶微电子有限公司

申请人地址：

214028江苏省无锡市无锡国家高新技术产业开发区信息产业科技园C座

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所

代理人：

殷红梅

优先权：

CN200620077350.9

主分类号：

B08B3/04

IPC分类号：

B08B3/04 B08B3/02