半导体器件生产清洗用喷淋式预冲槽
专利权的终止
摘要

本实用新型涉及一种半导体器件生产清洗用喷淋式预冲槽,具体地说是与腐蚀槽、阶梯式冲水槽配套使用,用于半导体晶圆片生产过程中湿法腐蚀、去胶、清洗等工序的冲水,属于湿法腐蚀工序中的设备。其主要采用在喷淋式预冲槽体后部连接进水管,顶部边缘四周设为储水室,边缘斜面上设置喷水孔向槽内斜喷水。在喷淋式预冲槽体的底部设置排水孔。本实用新型结构简单、紧凑,合理;将原预冲槽的进水方式由底部进水改为顶部边缘进水,水通过小孔后以一定角度斜喷入槽中,喷水压力有所加大,且方向集中,对圆片的冲洗更为彻底;优化了作业流程,避免了水污染,节约了纯水用量。

基本信息
专利标题 :
半导体器件生产清洗用喷淋式预冲槽
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620077351.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-09-18
授权号 :
CN200948457Y
授权日 :
2007-09-19
发明人 :
刘东昇姚承锡
申请人 :
无锡华润华晶微电子有限公司
申请人地址 :
214028江苏省无锡市无锡国家高新技术产业开发区信息产业科技园C座
代理机构 :
无锡市大为专利商标事务所
代理人 :
殷红梅
优先权 :
CN200620077351.3
主分类号 :
B08B3/04
IPC分类号 :
B08B3/04  B08B3/02  
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B08
清洁
B08B
一般清洁;一般污垢的防除
B08B3/00
使用液体或蒸气的清洁方法
B08B3/04
与液体接触的清洁
法律状态
2016-11-02 :
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101685481886
IPC(主分类) : B08B 3/04
专利号 : ZL2006200773513
申请日 : 20060918
授权公告日 : 20070919
终止日期 : 无
2007-09-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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