横向半导体装置的制造
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种制造横向半导体装置的方法，所述方法包括具有顶部和底部主表面(2a、2b)的半导体本体(2)，所述本体包括第一传导类型的漏极漂移区(6a)。所述方法包括步骤：在半导体本体中形成垂直的进入沟槽(20)，所述沟槽从所述半导体本体的顶部主表面(2a)延伸并具有底部和侧壁；形成在漏极漂移区(6a)内延伸的至少一个水平沟槽(16)，所述水平沟槽从成品装置中的垂直沟槽(20)的侧壁延伸；以及形成在至少一个水平沟槽内延伸的RESURF施感结构(22)。依此方式，形成垂直分离的横向RESURF施感结构，而不会遇到关于用于形成RESURF结构的公知技术的问题。
基本信息
专利标题 ：
横向半导体装置的制造
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101138077A
申请号 ：
CN200680004082.0
公开（公告）日 ：
2008-03-05
申请日 ：
2006-02-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
简·雄斯基
申请人 ：
NXP股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
朱进桂
优先权 ：
CN200680004082.0
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/78 H01L29/06 H01L29/40 H01L29/08 H01L21/306 H01L21/3065 H01L21/265 H01L29/423 H01L29/417
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2010-08-25 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101006990744
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利申请号 : 2006800040820
公开日 : 20080305
号牌文件序号 : 101006990744
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利申请号 : 2006800040820
公开日 : 20080305
2008-04-30 ：
实质审查的生效
2008-03-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
