半导体装置及半导体装置的制造方法
公开
摘要
本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够实现适当的沟道区域的技术。半导体装置具有：第一接触层，其与第一沟槽接触部的下部连接；以及第二接触层，其与第二沟槽接触部的下部连接。在俯视观察时，第一沟槽的第一侧部与第一沟槽接触部之间的距离比第一沟槽的第二侧部与第二沟槽接触部之间的距离大，在剖视观察时，第一接触层与第一侧部分离，第二接触层与第二侧部连接。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628502A
申请号 ：
CN202111505801.X
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小西和也曾根田真也新田哲也古川彰彦
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
何立波
优先权 ：
CN202111505801.X
主分类号 ：
H01L29/10
IPC分类号 ：
H01L29/10 H01L29/739 H01L29/78 H01L21/331 H01L21/336
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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