等离子体离子植入中的轮廓调整
授权
摘要
一种方法及装置是针对提供等离子体掺杂系统中的掺杂剂轮廓调整解决方案以符合浓度及结深度要求。可执行偏压斜线上升及偏压斜线上升率调整以达成所要的掺杂剂轮廓，使得实现对等离子体掺杂系统中的元件缩放是关键的垂直方向及横向上浅并陡的结。
基本信息
专利标题 ：
等离子体离子植入中的轮廓调整
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101203933A
申请号 ：
CN200680013410.3
公开（公告）日 ：
2008-06-18
申请日 ：
2006-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
方子韦理查·艾波文森特·丹龙维克拉姆·辛区哈勒德·M·波辛
申请人 ：
瓦里安半导体设备公司
申请人地址 ：
美国马萨诸塞州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
左一平
优先权 ：
CN200680013410.3
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2010-05-19 ：
授权
2008-08-13 ：
实质审查的生效
2008-06-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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