等离子体装置
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种等离子体装置。所述等离子体装置包括：反应室，具有反应空间以容纳被处理的基板；线圈，位于所述反应空间的外部上；电源，将交流频率电源施加到所述线圈上；以及导电板，位于所述线圈和所述反应空间之间且从施加到所述线圈上的交流频率电源产生感应电流。因此，本发明提供了等离子体装置，其在反应室的内部气体中诱发均匀的电场。
基本信息
专利标题 ：
等离子体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1794431A
申请号 ：
CN200510129428.7
公开（公告）日 ：
2006-06-28
申请日 ：
2005-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔熙焕金湘甲吴旼锡秦洪基
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510129428.7
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065 H01L21/00 H05H1/00 H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2018-01-26 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/3065
申请日 : 20051208
授权公告日 : 20080827
终止日期 : 20161208
申请日 : 20051208
授权公告日 : 20080827
终止日期 : 20161208
2012-12-05 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101480957299
IPC(主分类) : H01L 21/3065
专利号 : ZL2005101294287
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星电子株式会社
变更后权利人 : 三星显示有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20121105
号牌文件序号 : 101480957299
IPC(主分类) : H01L 21/3065
专利号 : ZL2005101294287
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星电子株式会社
变更后权利人 : 三星显示有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20121105
2008-08-27 ：
授权
2006-08-23 ：
实质审查的生效
2006-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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