用于离子植入的等离子体浸渍方法
公开
摘要
本发明涉及使用多种前驱物气体的等离子体浸渍离子植入方法，特別是出于相对于在植入过程中也植入工件内的其它原子物种，控制植入所述工件内的特定原子掺杂剂物种的量的目的。
基本信息
专利标题 ：
用于离子植入的等离子体浸渍方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114600222A
申请号 ：
CN202080071619.5
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-09-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
唐瀛B·C·亨德里克斯O·比尔S·N·叶达弗
申请人 ：
恩特格里斯公司
申请人地址 ：
美国马萨诸塞州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
李婷
优先权 ：
CN202080071619.5
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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