具有组合式散热基板的半导体激光器
专利权的终止
摘要

本实用新型公开一种具有组合式散热基板的半导体激光器,有热电致冷器(1),在热电致冷器(1)上置有散热基板(2),半导体激光器芯片载体(3)置于散热基板(2)上,所述散热基板(2)由小基板(4)、大基板(5)相接而成,所述的半导体激光器芯片载体(3)位于小基板(4)上。小基板可以采用热传导性能好、与芯片载体(陶瓷)热膨胀系数相近的钨铜材料,而大基板则可采用成本低、易加工、与钨铜材料热膨胀系数相近的铁钴镍合金材料。半导体激光器芯片所产生的热量不但可通过小基板(钨铜材料)迅速散出,保证半导体激光器芯片载体、小基板及大基板在环境温度变化时胀缩一致,同时可大大降低制造成本,同时由于铁钴镍合金材料的可加工性,提高了产品成品率,降低了加工成本。

基本信息
专利标题 :
具有组合式散热基板的半导体激光器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720013025.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-07-02
授权号 :
CN201113221Y
授权日 :
2008-09-10
发明人 :
张耐林喆杨炳雄
申请人 :
大连艾科科技开发有限公司
申请人地址 :
116600辽宁省大连市保税区滇池路15号(大连艾科科技开发有限公司)
代理机构 :
大连非凡专利事务所
代理人 :
闪红霞
优先权 :
CN200720013025.0
主分类号 :
H01S5/024
IPC分类号 :
H01S5/024  
法律状态
2013-08-21 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101508927269
IPC(主分类) : H01S 5/024
专利号 : ZL2007200130250
申请日 : 20070702
授权公告日 : 20080910
终止日期 : 20120702
2008-09-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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