应用于光电半导体制程的快速升降温设备

专利权的终止

摘要

一种应用于光电半导体制程的快速升降温设备，包含有一至少分为二层的制程腔体，第一层外腔为不透光金属构造外腔，预留至少一加热源固定孔位，并施以水冷或气冷方式进行冷却，外加气体及液体流量监控装置。第二层内腔系为透光性构造内腔，并留有气流孔洞，以供应腔体内部洁净用或制程用气体。二层腔体之间施以气密性封合，系统门板上另以石英制作的支撑架支撑一载盘，该载盘用以承载至少一承载物。通过上述结构达到承载物均匀加热的环境。

基本信息

专利标题：

应用于光电半导体制程的快速升降温设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820139938.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-10-21

授权号：

CN201289856Y

授权日：

2009-08-12

发明人：

许明慧林武郎洪水斌石玉光郑煌玉周明源郭明伦

申请人：

技鼎股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

代理机构：

北京天平专利商标代理有限公司

代理人：

孙刚

优先权：

CN200820139938.1

主分类号：

H01L31/18

IPC分类号：

H01L31/18 H01L33/00 H01L21/00

法律状态

2018-11-13 ：

专利权的终止

专利权有效期届满IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20081021
授权公告日 : 20090812

2009-08-12 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载