在硅外延薄膜形成时使用氯气和/或氯化氢

授权

摘要

本发明涉及在硅外延薄膜形成时使用氯气和/或氯化氢。在第一方面中，本发明提供一种在一基板上形成一外延薄膜的第一方法。该第一方法包含(a)提供一基板；(b)将该基板暴露在至少一硅来源中，以在该基板的至少一部分上形成一外延薄膜；以及(c)将该基板暴露在氯化氢气体和氯气中，以蚀刻该外延薄膜以及在步骤(b)期间形成的任何其它薄膜。本发明提供多种其它方面。

基本信息

专利标题：

在硅外延薄膜形成时使用氯气和/或氯化氢

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN102176411A

申请号：

CN201110079467.6

公开（公告）日：

2011-09-07

申请日：

2005-11-30

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

叶志渊金以宽李小威阿里·朱耶基尼乔拉斯·C·达力鞑唐金松陈孝艾卡迪·V·塞蒙洛夫

申请人：

应用材料股份有限公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

陆嘉

优先权：

CN201110079467.6

主分类号：

H01L21/20

IPC分类号：

H01L21/20

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/20

半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长

法律状态

2013-02-13 ：

授权

2011-12-28 ：

著录事项变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101255314446
IPC(主分类) : H01L 21/20
专利申请号 : 2011100794676
变更事项 : 申请人
变更前 : 应用材料股份有限公司
变更后 : 应用材料公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国加利福尼亚州
变更后 : 美国加利福尼亚州

2011-11-16 ：

实质审查的生效

号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101131514928
IPC(主分类) : H01L 21/20
专利申请号 : 2011100794676
申请日 : 20051130

2011-09-07 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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