保护带及使用该保护带的半导体装置的制造方法
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摘要

提供能获得优异的连接性的保护带以及使用该保护带的半导体装置的制造方法。依次具有粘接剂层(11)、热塑性树脂层(12)和基体材料膜层(13),粘贴保护带的粘贴温度下的粘接剂层(11)的储能剪切弹性模量和热塑性树脂层(12)的储能剪切弹性模量的弹性模量比为0.01以下。由此,由于抑制凸点上残留树脂,所以能够获得优异的连接性。

基本信息
专利标题 :
保护带及使用该保护带的半导体装置的制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN105339450A
申请号 :
CN201480009023.7
公开(公告)日 :
2016-02-17
申请日 :
2014-08-18
授权号 :
CN105339450B
授权日 :
2022-05-24
发明人 :
森山浩伸出口真吾八木秀和石松朋之
申请人 :
迪睿合株式会社
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
何欣亭
优先权 :
CN201480009023.7
主分类号 :
C09J7/02
IPC分类号 :
C09J7/02  B32B27/00  H01L21/301  H01L21/304  
法律状态
2022-05-24 :
授权
2017-04-05 :
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101710971095
IPC(主分类) : C09J 7/02
专利申请号 : 2014800090237
申请日 : 20140818
2016-02-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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