配列用掩膜及其制造方法、焊料凸块的形成方法

授权

摘要

本发明涉及配列用掩膜及其制造方法、焊料凸块的形成方法。[课题]在于提供：即使随着凸块的微小化及窄间距化而缩小突起部的外形尺寸的情况下，仍在耐久性方面优异、可长期间使用的配列用掩膜。[解决手段]一种配列用掩膜，将焊球(2)撒入至对应于既定的配列图案的通孔(12)内，从而将前述焊球(2)搭载于工件(3)上的既定位置，具备具有通孔(12)的掩膜主体(10)、及设于掩膜主体(10)的与工件(3)的对向面侧的突起部(15)，突起部(15)由在耐久性方面优异的树脂而形成。

基本信息

专利标题：

配列用掩膜及其制造方法、焊料凸块的形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN106981428A

申请号：

CN201610341803.2

公开（公告）日：

2017-07-25

申请日：

2016-05-20

授权号：

CN106981428B

授权日：

2022-05-24

发明人：

小林良弘田丸裕仁中岛贵士石川树一郎

申请人：

日立麦克赛尔株式会社

申请人地址：

日本大阪府

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

刘新宇

优先权：

CN201610341803.2

主分类号：

H01L21/48

IPC分类号：

H01L21/48

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/48

应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器

法律状态

2022-05-24 ：

授权

2022-01-21 ：

著录事项变更

IPC(主分类) : H01L 21/48
变更事项 : 申请人
变更前 : 麦克赛尔控股株式会社
变更后 : 麦克赛尔株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本京都府
变更后 : 日本京都府

2018-12-28 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20160520

2018-03-09 ：

著录事项变更

IPC(主分类) : H01L 21/48
变更事项 : 申请人
变更前 : 日立麦克赛尔株式会社
变更后 : 麦克赛尔控股株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本大阪府
变更后 : 日本京都府

2017-07-25 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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