半导体设备
授权
摘要
半导体设备100具有垂直结构的功率晶体管N1和用于检测该功率晶体管N1的异常发热的温度检测元件10a。功率晶体管N1包括：形成在半导体基板200的第一主表面侧(前表面侧)上的第一电极208、形成在半导体基板200的第二主表面侧(背面侧)的第二电极209、以及不均匀地设置在第一电极208上的焊盘210a‑210f。温度检测元件10a形成在功率晶体管N发热最多的位置，该位置(在焊盘210b附近电流最容易集中的位置)使用焊盘210a‑210f的不均匀定位来指定。
基本信息
专利标题 ：
半导体设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108140610A
申请号 ：
CN201680057899.8
公开（公告）日 ：
2018-06-08
申请日 ：
2016-09-27
授权号 ：
CN108140610B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
高桥直树
申请人 ：
罗姆股份有限公司
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
曾贤伟
优先权 ：
CN201680057899.8
主分类号 ：
H01L21/822
IPC分类号 ：
H01L21/822 H01L21/8234 H01L27/04 H01L27/06 H01L27/088 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2018-07-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/822
申请日 : 20160927
申请日 : 20160927
2018-06-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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