半导体设备
授权
摘要
本公开的实施例涉及半导体设备。该半导体设备包括：引线框架，具有裸片焊盘区域；增强层，被设置在引线框架上，增强层被配置成抵消设备封装分层，其中引线框架的裸片焊盘区域的一部分不具有增强层；半导体裸片，经由软焊料裸片附接材料附接到裸片焊盘区域上，软焊料裸片附接材料在裸片焊盘区域的、不具有增强层的一部分处；以及封装材料的设备封装，模制到附接到引线框架的裸片焊盘区域上的半导体裸片上。本公开的实施例可以促进软焊料裸片的附接，并且获得令人满意的封装分层性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021138926.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-18
授权号 ：
CN212412003U
授权日 ：
2021-01-26
发明人 ：
P·克雷马
申请人 ：
意法半导体股份有限公司
申请人地址 ：
意大利阿格拉布里安扎
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202021138926.4
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50 H01L21/56 H01L23/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2021-01-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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