半导体设备
授权
摘要
半导体设备包括：连接到输出端子的n型半导体基板；形成在所述n型半导体基板中的第一p型阱；形成在所述第一p型阱中并且连接到所述控制端子的第一n型半导体区域；以及连接在所述第一p型阱与接地端子之间的电位分离部。当所述输出端子被保持在高于接地端子的电位时，所述电位分离部将所述第一p型阱和所述接地端子设置为相同的电位，并且当所述输出端子被保持在低于所述接地端子的电位时，将所述第一p型阱和所述输出端子设置为相同的电位。
基本信息
专利标题 ：
半导体设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108431945A
申请号 ：
CN201680076680.2
公开（公告）日 ：
2018-08-21
申请日 ：
2016-10-31
授权号 ：
CN108431945B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
结城浩文高桥俊太郎古谷博司
申请人 ：
罗姆股份有限公司
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
龚伟
优先权 ：
CN201680076680.2
主分类号 ：
H01L21/822
IPC分类号 ：
H01L21/822 H01L21/8234 H01L27/04 H01L27/06 H01L27/088 H01L29/78 H03K17/08
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2018-09-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/822
申请日 : 20161031
申请日 : 20161031
2018-08-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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