液处理装置
授权
摘要
本发明的实施方式的液处理装置包括处理部、第1供给通路、第1器件、第2供给通路、第2器件、壳体和外部壳体。处理部使用处理液处理基板。第1供给通路对处理部供给第1处理液。第1器件用于对第1供给通路供给第1处理液。第2供给通路对处理部供给比第1处理液高温的第2处理液。第2器件用于对第2供给通路供给第2处理液。壳体收纳处理部。外部壳体与壳体相邻，收纳第1器件和第2器件。另外，外部壳体在第1器件和第2器件之间具有分隔壁。
基本信息
专利标题 ：
液处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108292597A
申请号 ：
CN201680066935.7
公开（公告）日 ：
2018-07-17
申请日 ：
2016-11-02
授权号 ：
CN108292597B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
入山哲郎梅野慎一高木康弘佐藤尊三
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN201680066935.7
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304 H01L21/027 H01L21/306
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2018-08-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/304
申请日 : 20161102
申请日 : 20161102
2018-07-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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